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過程工程
INNOViON擁有一支經驗豐富的離子注入工藝工程師團隊，可以為您提供幫助。 我們的員工可以幫助您制定優化的植入物配方策略，以及植入物和植入後表徵以及設備工藝故障排除。
憑藉我們廣泛的植入工具以及與全球數百名客戶的獨特經驗，我們為您解決了所有問題。
投影範圍統計
從SRIM獲得的投影範圍表已轉換為圖形形式，用於半導體製造中通常使用的離子種類和薄膜。 繪製的離子為銻，砷，硼和磷。 注入的襯底材料是矽，二氧化矽，氮化矽和代表性的光刻膠。 這些統計數據為用戶提供了峰值植入物深度和該峰值周圍分佈的估計值。 INNOViON可以幫助估算其他物種和底物組合的預計範圍統計信息，並可以幫助估算這些物種熱處理的影響。 有關這些應用程序和其他應用程序，請聯繫我們。
過程理論
離子注入過程涉及將一定量的離子（作為單個原子或分子）注入材料中，以改變材料的物理特性。 最常見的應用是通過控制區域在何種條件下會導電或絕緣來影響半導體（如矽或砷化鎵）的電性能。 另外，離子注入可用於通過建立可沿其分裂晶體的平面來影響晶體學性質，或以可能結合從裝置隔離的區域中的不良污染物原子的方式改變化學性質。 （除其他優點外）通過從化學擴散切換到離子注入所提供的摻雜濃度和深度的精確控制，使得現代半導體器件的高性能成為可能。
